中国科技论文

2017, v.12(02) 195-199

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一维光子晶体带隙边缘处态密度突然增强现象的理论分析
Theoretical analysis of DOS sudden enhancement at the edge of band gap in one dimensional photonic crystals

胡迎宾;廖同庆;贺超;贾学松;

摘要(Abstract):

针对一维光子晶体态密度(density of states,DOS)特性,建立数学计算模型,并就其带隙边缘突然增强现象,研究了近似局域最大值与周期数、薄膜材料折射率之间的对应关系。首先计算得到了特定周期数、相对折射率差下的近似局域最大值,接着绘制了DOS带隙特性曲线,验证了局域最大值的准确性。最后通过分析,进一步得到了周期数、相对折射率差对带隙边缘处DOS突然增强现象的调制关系。

关键词(KeyWords): 一维光子晶体;态密度;归一化;边缘增强;局域最大值

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20123401120008);; 安徽高校省级科学研究重大项目(KJ2015ZD04)

作者(Author): 胡迎宾;廖同庆;贺超;贾学松;

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